결정성장과 실리콘 웨이퍼 이해하기
- 단결정 실리콘, 결정면, 초크랄스키법, 웨이퍼 가공과 검사까지 -
이 글은 반도체 공정의 출발점인 실리콘 웨이퍼가 어떻게 만들어지고 평가되는지를 정리한 글이다. 단결정·다결정·비정질 실리콘의 차이에서 시작해 결정방향과 결정면, 단결정 실리콘의 다이아몬드 구조, 초크랄스키법을 이용한 잉곳 성장, 웨이퍼 가공, 표면 결함 검사, 4점 측정법, 웨이퍼 대형화의 의미까지 하나의 흐름으로 연결한다.
목차
- 1. 실리콘 웨이퍼가 중요한 이유
- 2. 실리콘의 세 가지 구조 : 단결정, 다결정, 비정질
- 3. 결정면과 결정방향
- 4. 단결정 실리콘의 다이아몬드 구조
- 5. 실리콘 표면구조와 결정면의 중요성
- 6. 단결정 실리콘 잉곳 성장
- 7. 잉곳에서 웨이퍼로 : 웨이퍼 가공 공정
- 8. 웨이퍼 품질 평가가 필요한 이유
- 9. 레이저 산란법을 이용한 표면 결함 검사
- 10. 4점 측정법을 이용한 전기적 평가
- 11. 웨이퍼에서 반도체 칩으로
- 12. 실리콘 웨이퍼 크기의 발전
- 13. 강의 흐름에서 보충해야 할 핵심 연결
- 14. 이번 강의의 전체 흐름
- 15. 핵심 개념 정리
- 16. 한 문장 결론
1. 실리콘 웨이퍼가 중요한 이유
반도체 소자는 대부분 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer) 위에서 제작된다. 웨이퍼는 단순한 실리콘 판이 아니라, 매우 높은 순도와 규칙적인 원자 배열을 가진 단결정 실리콘 기판이다.
반도체 공정에서는 웨이퍼 위에 산화막을 만들고, 포토리소그래피로 패턴을 형성하고, 식각·증착·이온주입·금속배선 공정을 반복하여 트랜지스터와 회로를 만든다. 따라서 웨이퍼의 결정 품질, 표면 평탄도, 결함 밀도, 전기적 특성은 반도체 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 준다.
즉, 웨이퍼는 반도체 공정의 출발점이며, 좋은 웨이퍼를 만드는 것은 좋은 반도체 칩을 만들기 위한 기본 조건이다. 공정 장비와 레시피가 아무리 정밀하더라도, 출발 기판인 웨이퍼 자체의 결함과 불균일성이 크면 후속 공정에서 동일한 품질을 얻기 어렵다.
웨이퍼는 반도체 제조의 시작점이다. 웨이퍼 품질이 좋지 않으면 이후 산화, 포토, 식각, 증착, 이온주입, 배선 공정을 정상적으로 진행해도 최종 칩 수율이 낮아질 수 있다.
2. 실리콘의 세 가지 구조 : 단결정, 다결정, 비정질
고체 상태의 실리콘은 원자 배열 방식에 따라 크게 단결정, 다결정, 비정질로 구분할 수 있다. 같은 실리콘이라도 원자 배열이 얼마나 규칙적인지에 따라 전기적 특성과 공정 적용 분야가 달라진다.
| 구분 | 구조적 특징 | 반도체 공정에서의 의미 |
| 단결정 (Crystalline) | 실리콘 원자들이 물질 전체에 걸쳐 3차원적으로 규칙 배열 | 고성능 반도체 웨이퍼에 사용 |
| 다결정 (Polycrystalline) | 작은 결정립들이 여러 방향으로 모여 전체 구조 형성 | 폴리실리콘 게이트, 박막 등에 사용 |
| 비정질 (Amorphous) | 원자 배열이 장거리 규칙성을 갖지 않음 | 비정질 박막, 디스플레이용 박막 등에 사용 |
비정질 실리콘은 원자 배열이 무작위적이기 때문에 장거리 규칙성이 없다. 따라서 단결정에 비해 전기적 특성이 떨어질 수 있지만, 박막 형태로 만들기 쉽고 대면적 기판에 적용하기 쉬운 장점이 있다.
3. 결정면과 결정방향
결정 구조를 이해하려면 결정면(Crystal plane)과 결정방향(Crystal direction)을 구분해야 한다. 결정은 3차원 공간에서 원자들이 규칙적으로 배열된 구조이므로, 특정 방향으로 원자들이 어떻게 늘어서 있는지와 특정 면에서 원자들이 어떻게 배열되어 있는지를 표현할 필요가 있다.
3.1 결정방향
결정방향은 결정 내부에서 특정 방향을 나타내는 벡터이다. 보통 대괄호 [ ]를 사용하여 표시한다. 예를 들어 [100], [110], [111]은 각각 서로 다른 결정방향을 의미한다.
| 결정방향 | 의미 |
| [100] | x축 방향으로 향하는 결정방향 |
| [110] | x축과 y축 방향 성분을 함께 가지는 결정방향 |
| [111] | x, y, z 세 축 방향 성분을 모두 가지는 결정방향 |
3.2 결정면
결정면은 결정 내부에서 특정 평면을 나타낸다. 보통 소괄호 ( )를 사용하여 표시한다. 예를 들어 (100), (110), (111)은 각각 서로 다른 결정면이다.
결정면은 각 축과 만나는 위치를 기준으로 표현하며, 이를 밀러 지수(Miller index)라고 한다. 밀러 지수는 결정면이 x, y, z축과 만나는 절편의 역수를 이용하여 나타낸다.
| 표현 | 의미 |
| [hkl] | 결정방향 |
| (hkl) | 결정면 |
| {hkl} | 대칭적으로 같은 성질을 갖는 결정면들의 집합 |
| <hkl> | 대칭적으로 같은 성질을 갖는 결정방향들의 집합 |
4. 단결정 실리콘의 다이아몬드 결정구조
단결정 실리콘은 다이아몬드 결정구조(Diamond cubic structure)를 가진다. 이는 단순한 정방형 구조가 아니라, 면심입방 구조를 기반으로 하면서 추가적인 원자 위치가 포함된 구조이다.
| 특징 | 설명 |
| Cubic structure | x, y, z축 방향의 격자 길이가 같고 서로 90도를 이룸 |
| FCC 기반 구조 | 각 꼭짓점과 각 면의 중심에 원자가 위치하는 구조를 바탕으로 함 |
| 1/4 오프셋 구조 | FCC 구조가 1/4 격자만큼 이동한 위치에 추가 원자가 존재 |
| 공유결합 | 각 실리콘 원자는 주변 4개 실리콘 원자와 공유결합 형성 |
5. 실리콘 표면구조와 결정면의 중요성
결정질 실리콘은 3차원적으로 규칙적인 구조를 가지기 때문에 벌크 내부에서는 대칭성이 높다. 그러나 반도체 공정은 대부분 웨이퍼 표면에서 진행된다. 따라서 실제 공정에서는 벌크 내부보다 표면에 드러난 원자 배열이 매우 중요하다.
웨이퍼 표면이 (100)인지, (110)인지, (111)인지에 따라 표면 원자 밀도와 결합 상태가 달라진다.
| 결정면 | 특징 |
| (100) | CMOS 공정에서 널리 사용되는 대표적인 웨이퍼 표면 |
| (110) | 특정 소자 구조나 이동도 특성에서 중요할 수 있음 |
| (111) | 원자 면밀도가 높고 결정학적으로 조밀한 면 |
(111)면이 가장 높은 원자 면밀도를 가지며, (100)면은 상대적으로 적은 원자가 존재한다고 설명한다. 원자 면밀도가 달라지면 표면에서 일어나는 공정 반응도 달라질 수 있다.| 영향 요소 | 설명 |
| 산화막 성장속도 | 표면 원자 배열과 결합 상태에 따라 산화 반응 속도 차이 발생 |
| 표면 결함밀도 | 표면에 끊어진 결합, dangling bond 수에 따라 결함 밀도 차이 발생 |
| 표면 확산 | 원자나 불순물이 표면에서 이동하는 속도가 결정면에 따라 달라짐 |
| 식각 특성 | 결정방향에 따라 식각 속도가 달라지는 이방성 식각 발생 가능 |
| 소자 특성 | 계면 품질, 이동도, 누설전류 등에 영향 가능 |
6. 단결정 실리콘 잉곳 성장
반도체 웨이퍼를 만들기 위해서는 먼저 큰 원통형 단결정 실리콘 덩어리인 잉곳(Ingot)을 성장시켜야 한다. 웨이퍼는 잉곳을 얇게 잘라 만든다. 따라서 잉곳이 단결정 구조를 가져야 최종 웨이퍼도 단결정 웨이퍼가 된다.
대표적인 단결정 실리콘 성장법은 초크랄스키법(Czochralski method, CZ method)이다.
6.1 초크랄스키법의 기본 원리
초크랄스키법은 고순도 실리콘 원료를 도가니 안에서 고온으로 녹인 뒤, 특정 결정방향을 가진 작은 단결정 조각인 시드 결정(Seed crystal)을 용융 실리콘에 접촉시킨 후 천천히 회전시키며 끌어올리는 방식이다.
이때 용융 실리콘이 시드 결정의 결정 배열을 따라 굳으면서 하나의 큰 단결정 잉곳이 성장한다.
6.2 시드 결정이 중요한 이유
시드 결정은 잉곳의 결정방향을 결정한다. 예를 들어 (100) 웨이퍼를 만들고 싶다면 그에 맞는 결정방향을 가진 시드가 사용된다.
결정성장은 무작위로 진행되는 것이 아니라, 시드의 원자 배열을 따라 연속적으로 진행된다. 따라서 시드 품질이 나쁘거나 성장 조건이 불안정하면 전위, 결함, 다결정화가 발생할 수 있다.
6.3 잉곳 성장에서 제어해야 하는 요소
좋은 단결정 잉곳을 만들기 위해서는 성장 조건을 정밀하게 제어해야 한다. 강의자료에서는 초크랄스키법의 기본 개념을 간단히 설명하지만, 실제 산업에서는 잉곳의 직경 균일도, 결정 결함, 산소 농도, 저항 균일도 등이 매우 중요한 품질 지표가 된다.
| 제어 요소 | 의미 |
| 온도 분포 | 용융 실리콘이 너무 빠르거나 불균일하게 굳지 않도록 제어 |
| 인상 속도 | 시드를 끌어올리는 속도로 잉곳 직경과 결정 품질에 영향 |
| 회전 속도 | 용융액의 균일한 혼합과 성장 안정성에 영향 |
| 도핑 농도 | 원하는 전기저항과 n형/p형 특성을 만들기 위해 제어 |
| 산소·탄소 오염 | 도가니나 주변 환경에서 유입될 수 있는 불순물 관리 |
| 결함 제어 | 전위, 공공, 산소 석출 등 결정 결함을 최소화 |
잉곳 성장 조건은 이후 수십 장에서 수백 장의 웨이퍼 품질로 이어진다. 온도, 인상 속도, 회전 속도, 도핑 농도, 산소 농도 같은 공정 변수를 안정적으로 관리해야 웨이퍼 간 전기적 특성 편차를 줄일 수 있다.
7. 잉곳에서 웨이퍼로: 웨이퍼 가공 공정
단결정 잉곳이 만들어졌다고 바로 반도체 공정에 사용할 수 있는 것은 아니다. 잉곳을 얇은 웨이퍼 형태로 가공하고, 표면을 매우 평탄하고 깨끗하게 만들어야 한다.
7.1 와이어 쏘잉
와이어 쏘잉(Wire sawing)은 원통형 실리콘 잉곳을 얇은 판 형태로 절단하는 공정이다. 다이아몬드 와이어 등을 이용해 잉곳을 여러 장의 웨이퍼로 잘라낸다.
이 과정에서는 절단 손상, 두께 편차, 표면 거칠기 등이 발생할 수 있다. 따라서 이후 공정에서 표면을 다듬어야 한다.
7.2 랩핑
랩핑(Lapping)은 쏘잉 후 거칠어진 웨이퍼 표면을 기계적으로 갈아내는 공정이다. 웨이퍼 두께를 균일하게 만들고, 큰 표면 손상과 굴곡을 줄인다.
다만 랩핑은 기계적 가공이므로 표면에 미세한 손상층이 남을 수 있다. 이 손상층은 이후 식각이나 CMP로 제거한다.
7.3 식각
웨이퍼 절단과 랩핑 과정에서 생긴 표면 손상층을 제거하기 위해 화학적 식각을 수행할 수 있다. 식각을 통해 표면의 균열, 가공 손상, 오염 일부를 제거한다.
7.4 CMP
CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 화학적 반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면을 매우 평탄하게 만드는 공정이다. CMP에서는 슬러리, 패드, 압력, 회전 운동을 이용한다. 슬러리 속 화학 성분이 표면을 반응시키고, 연마 입자와 패드가 표면을 기계적으로 제거한다.
CMP가 중요한 이유는 반도체 공정이 나노미터 수준의 정밀도를 요구하기 때문이다. 표면이 평탄하지 않으면 포토리소그래피 초점이 맞지 않거나, 박막 두께가 불균일해지고, 후속 공정에서 패턴 불량이 발생할 수 있다.
8. 웨이퍼 품질 평가가 필요한 이유
완성된 웨이퍼는 바로 공정에 투입되지 않고 다양한 검사와 평가를 거친다. 웨이퍼 표면이나 내부에 결함이 있으면, 이후 수백 단계의 반도체 공정을 거친 뒤에도 불량 칩이 될 가능성이 높다.
웨이퍼 품질 평가는 반도체 수율과 직접적으로 연결된다. 대표적인 웨이퍼 품질 항목은 다음과 같다.
| 평가 항목 | 의미 |
| 표면 결함 | 흠집, 크랙, 파티클, 오염 등 |
| 평탄도 | 웨이퍼 표면이 얼마나 평평한지 |
| 두께 균일도 | 웨이퍼 전체의 두께가 균일한지 |
| 결정 결함 | 전위, 슬립, 산소 석출 등 결정 내부 결함 |
| 전기적 특성 | 비저항, 도핑 균일도, 전도도 |
| 표면 거칠기 | 표면의 미세한 요철 정도 |
9. 레이저 산란법을 이용한 표면 결함 검사
강의자료에서는 웨이퍼 표면 결함 검사 방법으로 레이저 산란법(Laser scattering)을 소개한다. 레이저 산란법은 웨이퍼 표면에 레이저를 조사하고, 표면 결함이나 입자에서 산란되는 빛을 검출하는 방식이다.
깨끗하고 평탄한 표면에서는 레이저가 일정한 방식으로 반사되지만, 파티클, 흠집, 크랙, 돌출부, 오염물 등이 있으면 빛이 비정상적으로 산란된다. 검출기는 이 산란광을 측정하여 결함의 위치와 크기를 판단한다.
| 결함 | 설명 |
| Particle | 웨이퍼 표면에 붙은 입자성 오염 |
| Scratch | 기계적 접촉이나 연마 과정에서 발생한 긁힘 |
| Dimple | 표면에 생긴 작은 움푹 파인 결함 |
| Crack | 절단, 열응력, 기계적 충격 등에 의한 균열 |
| Pit | 식각이나 결정 결함에 의해 생긴 작은 구멍 |
10. 4점 측정법을 이용한 전기적 평가
강의자료에서는 웨이퍼의 전기전도도를 평가하는 방법으로 4점 측정법(Four point measurement)을 소개한다.
4점 측정법은 네 개의 탐침을 웨이퍼 표면에 접촉시켜 전류와 전압을 측정하는 방식이다. 바깥쪽 두 탐침으로 전류를 흘리고, 안쪽 두 탐침으로 전압을 측정한다.
이 방식을 사용하는 이유는 접촉저항의 영향을 줄이기 위해서이다. 단순히 두 개의 probe로 저항을 측정하면 probe와 웨이퍼 사이의 접촉저항이 측정값에 포함된다. 하지만 4점 측정법에서는 전류를 흘리는 probe와 전압을 측정하는 probe를 분리하기 때문에 더 정확한 비저항 또는 면저항을 얻을 수 있다.
| 항목 | 의미 |
| 전기전도도 | 웨이퍼가 전류를 얼마나 잘 전달하는지 |
| 비저항 | 물질 자체의 전류 저항 특성 |
| 면저항 | 얇은 웨이퍼나 박막의 sheet resistance |
| 도핑 균일도 | 웨이퍼 위치별 도핑 농도가 균일한지 간접 확인 |
11. 웨이퍼에서 반도체 칩으로
검사를 통과한 웨이퍼는 반도체 전공정에 투입된다. 웨이퍼 위에는 산화, 포토리소그래피, 식각, 증착, 이온주입, 금속배선 등의 공정이 반복적으로 수행된다. 이 과정을 통해 웨이퍼 위에는 수많은 동일한 칩, 즉 다이(Die)가 형성된다.
웨이퍼 전체가 하나의 칩이 되는 것이 아니라, 웨이퍼 위에 동일한 회로 패턴이 반복적으로 형성되고, 이후 개별 칩 단위로 절단된다. 이 절단 과정을 다이싱(Dicing)이라고 한다.
절단된 칩은 외부 전기 신호와 연결되고, 물리적으로 보호되도록 패키징된다. 패키징이 끝난 뒤 최종 테스트를 통과하면 우리가 사용하는 CPU, 메모리, 센서, 전력반도체 등의 제품이 된다.
12. 실리콘 웨이퍼 크기의 발전
반도체 산업에서는 생산성을 높이기 위해 웨이퍼 크기를 지속적으로 키워왔다. 강의자료에서는 100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm, 450 mm급 웨이퍼 크기 변화를 보여준다.
웨이퍼 지름이 커지면 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수가 증가한다. 반도체 공정은 웨이퍼 단위로 진행되기 때문에, 같은 공정 횟수로 더 많은 칩을 만들 수 있다면 생산성이 향상된다. 예를 들어 웨이퍼 지름이 커지면 면적은 지름의 제곱에 비례하여 증가한다.
따라서 200 mm 웨이퍼보다 300 mm 웨이퍼는 단순 지름 기준으로는 1.5배 크지만, 면적 기준으로는 약 2.25배 크다. 이는 한 번에 더 많은 칩을 생산할 수 있음을 의미한다. 다만 웨이퍼가 커질수록 제조와 공정 제어는 더 어려워진다.
| 웨이퍼 대형화 장점 | 설명 |
| 생산성 증가 | 한 장의 웨이퍼에서 더 많은 칩 생산 |
| 칩당 제조 비용 절감 | 공정 비용을 더 많은 칩에 분산 |
| 대량 생산 효율 향상 | 고집적 반도체 양산에 유리 |
| 웨이퍼 대형화 어려움 | 설명 |
| 평탄도 제어 어려움 | 큰 면적 전체를 균일하게 가공해야 함 |
| 결함 관리 어려움 | 작은 결함도 더 많은 칩에 영향을 줄 수 있음 |
| 장비 대형화 필요 | 노광, 식각, 증착, 검사 장비가 대형 웨이퍼에 맞아야 함 |
| 열·응력 제어 어려움 | 큰 웨이퍼일수록 열팽창과 기계적 응력 관리가 중요 |
13. 강의 흐름에서 보충해야 할 핵심 연결
이번 강의자료는 실리콘 결정구조에서 시작해 웨이퍼 제작과 칩 완성까지 설명한다. 다만 중간 흐름을 더 자연스럽게 이해하려면 다음 연결을 잡아야 한다.
13.1 왜 단결정이어야 하는가?
반도체 소자는 웨이퍼 위 수십억 개의 트랜지스터가 거의 동일한 특성으로 동작해야 한다. 만약 웨이퍼가 다결정이라면 결정립 경계마다 전하 이동 특성이 달라지고, 결함이 증가할 수 있다. 따라서 고성능 CMOS 소자는 균일한 전기적 특성을 얻기 위해 단결정 실리콘 웨이퍼를 사용한다.
13.2 왜 결정면이 중요한가?
공정은 웨이퍼의 표면에서 진행된다. 표면에 드러나는 원자 배열은 산화막 성장, 식각, 계면 결함, 전하 이동 특성에 영향을 준다. 따라서 웨이퍼가 어떤 결정면을 표면으로 갖는지는 공정 결과와 소자 특성에 직접 연결된다.
13.3 왜 잉곳 성장 조건이 중요한가?
잉곳은 이후 수많은 웨이퍼로 잘려 사용된다. 잉곳 내부에 결함이나 도핑 불균일이 있으면, 그 결함은 웨이퍼와 칩 전체로 이어질 수 있다. 따라서 단결정 성장 단계에서 온도, 인상 속도, 회전 속도, 도핑 농도, 불순물 농도를 정밀하게 제어해야 한다.
13.4 왜 CMP와 표면 평탄화가 중요한가?
반도체 공정은 수 nm에서 수십 nm 수준의 패턴을 형성한다. 웨이퍼 표면이 거칠거나 휘어져 있으면 포토리소그래피 초점이 맞지 않고, 막 두께가 불균일해지며, 식각 깊이도 달라질 수 있다. 따라서 웨이퍼는 매우 평탄하고 균일해야 한다.
13.5 왜 웨이퍼 검사가 중요한가?
웨이퍼 한 장에는 수많은 칩이 만들어진다. 초기 웨이퍼에 결함이 있으면 이후 공정 비용을 들여도 불량 칩이 될 가능성이 크다. 따라서 공정 전에 표면 결함, 전기적 특성, 두께, 평탄도 등을 검사하여 양품 웨이퍼만 공정에 투입해야 한다.
14. 이번 강의의 전체 흐름
이번 강의는 다음과 같은 흐름으로 이해할 수 있다.
15. 핵심 개념 정리
| 핵심 개념 | 설명 |
| 웨이퍼 | 반도체 소자를 제작하는 얇은 단결정 실리콘 기판 |
| 단결정 | 원자 배열이 물질 전체에서 하나의 규칙적인 방향성을 갖는 구조 |
| 다결정 | 여러 결정립이 모여 구성된 구조 |
| 비정질 | 원자 배열이 무작위적이고 장거리 규칙성이 없는 구조 |
| 입계 | 다결정에서 결정립과 결정립 사이의 경계 |
| 결정방향 | 결정 내부의 특정 방향을 나타내며 [hkl]로 표시 |
| 결정면 | 결정 내부의 특정 평면을 나타내며 (hkl)로 표시 |
| 밀러 지수 | 결정면과 결정방향을 표현하는 지수 체계 |
| 다이아몬드 구조 | 실리콘이 갖는 결정구조로, 각 원자가 4개의 공유결합을 형성 |
| 표면 원자 밀도 | 특정 결정면에 존재하는 원자의 밀도 |
| 초크랄스키법 | 용융 실리콘에서 시드 결정을 끌어올려 단결정 잉곳을 성장시키는 방법 |
| 시드 결정 | 잉곳의 결정방향을 결정하는 작은 단결정 조각 |
| 잉곳 | 원통형으로 성장된 단결정 실리콘 덩어리 |
| 와이어 쏘잉 | 잉곳을 얇은 웨이퍼로 절단하는 공정 |
| 랩핑 | 절단 후 거친 웨이퍼 표면을 기계적으로 평탄화하는 공정 |
| CMP | 화학적 반응과 기계적 연마를 이용해 웨이퍼 표면을 매우 평탄하게 만드는 공정 |
| 레이저 산란법 | 레이저 산란광을 이용해 웨이퍼 표면 결함을 검출하는 방법 |
| 4점 측정법 | 네 개의 probe를 이용해 웨이퍼의 저항 또는 전도 특성을 측정하는 방법 |
| 다이싱 | 웨이퍼 위에 형성된 칩을 개별 다이로 절단하는 공정 |
| 패키징 | 칩을 보호하고 외부 회로와 연결하는 후공정 |
| 웨이퍼 대형화 | 한 장의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산하기 위해 웨이퍼 지름을 키우는 방향의 발전 |
16. 한 문장 결론
3주차 강의의 핵심은 고성능 반도체 칩을 만들기 위해서는 원자 배열이 균일한 단결정 실리콘을 성장시키고, 이를 결함이 적고 평탄한 웨이퍼로 가공한 뒤, 검사와 평가를 거쳐 반도체 공정의 기판으로 사용해야 한다는 것이다.
실리콘 웨이퍼는 반도체 공정의 출발점이다. 단결정 실리콘의 결정방향과 결정면은 소자 특성과 공정 반응에 영향을 주고, 잉곳 성장과 웨이퍼 가공 조건은 최종 웨이퍼 품질을 결정한다. 따라서 웨이퍼 제조는 단순한 소재 준비 과정이 아니라, 이후 모든 반도체 공정의 수율과 신뢰성을 좌우하는 핵심 공정으로 이해해야 한다.
출처
※ 「K-MOOK」 반도체 공정 입문 강의자료 3주차 및 Yustitix 정리본
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